產(chǎn)品介紹

日立離子研磨儀標(biāo)準(zhǔn)機(jī)型IM4000Ⅱ能夠進(jìn)行截面研磨和平面研磨。還可通過低溫控制及真空轉(zhuǎn)移等各種選配功能，針對不同樣品進(jìn)行截面研磨。

產(chǎn)品特性：

高效率的截面研磨

IM4000II配備截面研磨能力達(dá)到500 µm/h以上的高效率離子槍。因此，即使是硬質(zhì)材料，也可以高效地制備出截面樣品。

*在加速電壓6 kV下，將Si片從遮擋板邊緣突出100 µm并加工1小時(shí)的最大深度。

截面研磨時(shí)如果擺動的角度發(fā)生變化，加工的寬度和深度也會發(fā)生變化。下圖為Si片在擺動角度為±15°下進(jìn)行截面研磨后的結(jié)果。除擺動角度以外，其他條件與上述加工條件一致。通過與上面結(jié)果進(jìn)行對比后，可發(fā)現(xiàn)加工的深度變深。
對于觀察目標(biāo)位于深處的樣品來說，能夠?qū)悠愤M(jìn)行更快速的截面研磨。

復(fù)合型研磨儀

截面研磨

• 即使是由不同硬度以及研磨速度材質(zhì)所構(gòu)成的復(fù)合材料，也可以通過IM4000Ⅱ制備出平滑的研磨面
• 優(yōu)化加工條件，降低因離子束所致樣品的損傷
• 可裝載最大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品

截面研磨的主要用途

• 金屬以及復(fù)合材料、高分子材料等樣品的截面制備
• 含有裂縫和空隙等特定位置的樣品截面制備
• 多層樣品的截面制備以及對樣品EBSD分析的前處理

平面研磨

• 直徑約為5mm范圍內(nèi)的均勻加工
• 應(yīng)用領(lǐng)域廣泛
• 最大可裝載直徑50 mm × 高度25 mm的樣品
• 可選擇旋轉(zhuǎn)和擺動（±60度，±90度的擺動）2種加工方法

平面研磨的主要用途

• 去除機(jī)械研磨中難以消除的細(xì)小劃痕和形變
• 去除樣品表層部分
• 消除因FIB加工所致的損傷層